The MOSFET transistor is a 4-terminal electronic device that is able to control the flow of current through it. The MOS is derived from its structure while the FET is derived from its principle of. Bulk (substrate) MOSFET Physics: The Long Channel Approximation A basic n-channel MOSFET (Figure 1) consists of two heavily-doped n-type regions, the Source and Drain, that comprise the main terminals of the device. The gate is made of heavily doped polysilicon, while the. Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous. Bulk acoustic wave — BAW Filter (engl. Bulk acoustic wave) sind elektronische Filter mit Bandpass Charakteristik. Transistor, MOSFET auch MOS FET.
Bulk Mosfet
Mosfet Bulk Connection
Mosfet Bulk Effect
Большой англо-русский и русско-английский словарь. 2001.
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Bulk Driven Mosfet
bulk complementary MOS process — jungtinių MOP darinių su puslaidininkiniu padėklu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bulk CMOS process; bulk complementary MOS process vok. volumenkomplementäre MOS Technologie, f rus. КМОП технология на… … Radioelektronikos terminų žodynas
bulk CMOS process — jungtinių MOP darinių su puslaidininkiniu padėklu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bulk CMOS process; bulk complementary MOS process vok. volumenkomplementäre MOS Technologie, f rus. КМОП технология на… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-FET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
MOS-Fet — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
volumenkomplementäre MOS-Technologie — jungtinių MOP darinių su puslaidininkiniu padėklu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bulk CMOS process; bulk complementary MOS process vok. volumenkomplementäre MOS Technologie, f rus. КМОП технология на… … Radioelektronikos terminų žodynas
jungtinių MOP darinių su puslaidininkiniu padėklu technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bulk CMOS process; bulk complementary MOS process vok. volumenkomplementäre MOS Technologie, f rus. КМОП технология на полупроводниковой подложке, f pranc. technologie CMOS sur substrat semi… … Radioelektronikos terminų žodynas
technologie CMOS sur substrat semi-conducteur — jungtinių MOP darinių su puslaidininkiniu padėklu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bulk CMOS process; bulk complementary MOS process vok. volumenkomplementäre MOS Technologie, f rus. КМОП технология на… … Radioelektronikos terminų žodynas
КМОП технология на полупроводниковой подложке — jungtinių MOP darinių su puslaidininkiniu padėklu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bulk CMOS process; bulk complementary MOS process vok. volumenkomplementäre MOS Technologie, f rus. КМОП технология на… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia